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STW58N60DM2AG

功能描述：MOSFET N-CH 600V 50A

制造商：stmicroelectronics

系列：汽车级，AEC-Q101，MDmesh?

包装：管件

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：90nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4100pF @ 100V

功率 - 最大值：360W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

标准包装：30

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